Abstract: We have developed an enhancement-mode GaN-on-Si MOS-FET with a thin GaN channel (40nm) on a thick AlGaN back barrier layer (1um), using Au-free 150-mm Si process. The developed device showed ...

Abstract: A simple equation RF MOS FET model using hyperbolic tangent functions and its parameter extraction technique have been demonstrated. Only twenty parameters are required without physical ...

机械式继电器、MOS FET继电器分别具有不同的特长。 基于对MOS FET继电器所具小型及长寿命、静音动作等优势的需求，目前已经出现了所用机械式继电器向MOS FET继电器转化的趋势。 但是，由于机械式继电器与MOS FET继电器在产品结构上完全不同，所以设计时需注意 ...

我是研一的，项目组做的东西，不是我很喜欢的，我喜欢硬件类的，电路板啦，单片机，FPGA 这些东西。 可是，他们在搞光纤传感和VC，我不想放弃自己的兴趣，现在在学习FPGA，也希望找工作的时候，能做硬件类的工作。但是我不知道我这样自学下去，而没有 ...

继电器驱动电流一般需要20-40mA或更大，线圈电阻100-200欧姆，因此要加驱动电路。 NPN晶体管驱动时：当晶体管T1基极被输入高电平时，晶体管饱和导通，集电极变为低电平，因此继电器线圈通电，触点RL1吸合。 当晶体管T1基极被输入低电平时，晶体管截止，继电 ...

由于缺乏高端SoC芯片技术，国内IC设计企业在嵌入式CPU开发上一直处于落后状态。可喜的是，随着全球半导体产业的技术转移及自身的努力，近年来国内已涌现出一些嵌入式CPU开发优势企业。下面就由福州卓跃教育具体介绍。 近期，Power PC的创立者IBM也进一步放开了 ...

This paper presents a current sensing principle appropriate for use in power electronics' converters. This current measurement principle has been developed for metal oxide semiconductor field effect ...